关于任天堂Switch 2采用三星第5代V-NAND的说法，目前我无法提供确切信息，因为我无法访问最新的硬件和技术发展。然而，如果任天堂决定推出Switch的后续版本，他们可能会考虑采用新一代的存储技术以提升性能和效率。三星的第5代V-NAND技术可能会提供更高的存储密度、更快的读写速度和更低的能耗，这些特性可能会被任天堂用于改进未来Switch的性能和用户体验。
任天堂 Switch 2 可能会使用三星第五代 V-NAND，从最近的一些研究结果来看，这将是相比其前代产品的一大进步。据Doctre81在 YouTube 上分享的一段新视频中报道，一位在该公司任职至 2019 年的前三星电子设备解决方案部门高级总监的 LinkedIn 页面上列出了他的主要资历和职责，其中包括领导开发了一款用于未指定任天堂游戏卡带的 NAND 闪存控制器设备。
在主要成就中，这位前三星员工还列出了由三星存储器第五代 V-NAND 闪存驱动的安全增强型 eMMC 卡的开发，这似乎不仅与用于未指定任天堂游戏卡带的 NAND 闪存控制器设备相吻合，而且还与其他一些信息相符，如创新未指定专有硬件的安全性和设计新的 PUF IP（物理不可克隆功能）。
任天堂 Switch 2 需要比上一代产品更快的读取速度并不完全令人惊讶，但使用三星第 5 代 V-NAND 仍然是个好消息，尽管以今天的标准来看，这已经是有些过时的技术了，因为三星正在开发第 9 代和第 10 代 V-NAND，后者计划于 2025 年发布。不过，第 5 代产品高达 1.4 GB/s 的速度对于任天堂的游戏来说应该绰绰有余，至少比前一代产品有了很大的提升。
关于 Nintendo Switch 2的细节人们所知甚少，只知道它将再次采用NVIDIA硬件。据说，T239 芯片将支持英伟达 DLSS 和光线重构等功能。
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